Микросхема K7N403601B-QC13 Samsung

Маркировка Производитель Описание микросхемы Корпус Склад Заказ K7N403601B-QC13 Samsung SRAM 4Mb 133Mhz 128K x 36 100TQFP

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Упаковка: На паллете.

Технические характеристики микросхемы памяти SRAM Samsung K7N403601B-QC13

• Назначение...................................................Микросхема памяти
• Тип памяти....................................................SRAM
• Интерфейс.....................................................Parallel
• Вид монтажа..................................................Surface Mount
• Объем памяти................................................4Mb 128K x 36
• Напряжение питания......................................3.3 В
• Температура рабочая......................................0°C ~ 70°C (TC)
• Вид монтажа..................................................Surface Mount
• Корпус..........................................................100TQFP
• Производитель...............................................Samsung.

Техническая документация на микросхему памяти SRAM Samsung K7N403601B

Электрические / временные характеристики, описание работы, схема включения и цоколевка микросхемы синхронной RAM памяти Samsung K7N403601B-QC13

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Конденсаторы керамические 100мкФ

Высоковольтный диод 1300В 1А

ПАВ резонатор на 433,92МГц

Конденсаторы на 100В

Ионисторы 1,2Ф 5,5В на ток 1A

Высоковольтные керамические конденсаторы от 200В до 2кВ

Полимерные конденсаторы 180мкФ 16В

Полимерные конденсаторы 33мкФ 8В и 47 мкф 6,3В на ток пульсаций до 2,5А

Все поступления