Микросхема ULN2803ADW

Микросхема ULN2803ADW

Маркировка Производитель Описание микросхемы Корпус Склад Заказ
ULN2803ADW TI Биполярная транзисторная матрица SOIC18
Цены в формате  .pdf,  .xls

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 1000 штук микросхем ULN2803ADW.

Технические характеристики биполярной транзисторной матрицы ULN2803ADW

  • Назначение....................................................Биполярная транзисторная матрица
  • Количество элементов.....................................8
  • Тип транзисторов............................................NPN
  • Напряжение насыщения..................................1,6В
  • Максимальное коллектор-эмиттер....................50В
  • Ток коллектора...............................................500мА
  • Температура рабочая......................................-65°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа...................................................Surface Mount
  • Корпус...........................................................SOIC18
  • Производитель...............................................TI

Техническая документация на транзисторную сборку ULN2803ADW

Электрические / временные характеристики, описание работы, схема включения и цоколевка биполярной транзисторной матрицы ULN2803ADW

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips