B8S диодный мост

Диодный мост B8S 800В 0,5А

Наименование Описание диодного моста Склад Заказ
B8S Диодный мост  в MDI 800В 0,5А 
Цены в формате  .pdf,  .xls

Упаковка:В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 3000 штук диодных мостов в корпусе MDI.

Технические характеристики диодного моста B8S

  • Постоянное обратное напряжение диода, макс......................................800В
  • Переменное обратное напряжение диода, макс ....................................560В
  • Средний прямой ток за период, макс....................................................0,5А
  • Импульсный прямой ток за период, макс .............................................30А
  • Постоянное прямое напряжения диода, при 0,5А..................................1В
  • Постоянный обратный ток диода, при 25С............................................0,005мА
  • Температура рабочая, макс.................................................................+150°С
  • Температура рабочая, мин..................................................................-55°С
  • Корпус..............................................................................................MDI
  • Изготовитель.....................................................................................PANJIT, Тайвань

Цоколевка диодного моста B8S

Цоколевка  B8S


Технические характеристики и маркировка диодного моста B8S

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips