FDS6982AS транзистор N MOSFET 30В, 6,3/8,6А

Наименование Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ FDS6982AS Fairchild 2 MOSFET транзистора  в SO-8, N-канал, 30 В, 6,3/8,6А

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук микросхем FDS6982AS.

Характеристики N MOSFET транзистора FDS6982AS

• Структура.................................................................................N
• Максимальное напряжение сток-исток........................................30В
• Максимальное напряжение затвор-исток.....................................20В
• Максимальный ток сток-исток Q1/Q2...........................................6,3/8,6А
• Сопротивление канала в открытом состоянии Q1/Q2.....................0,026/0,016Ом
• Крутизна характеристики Q1/Q2..................................................19/32
• Пороговое напряжение включения Q1/Q2....................................1,9/1,4В
• Заряд затвора Q1/Q2..................................................................11/21nC
• Входная емкость Q1/Q2...............................................................610/1250pF
• Температура рабочая,................................................................-55°С...+150°С
• Корпус......................................................................................SO-8

Транзистор FDS6982AS имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора FDS6982 AS

Datasheet на транзистор 6982 AS в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора FDS6982AS

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Конденсаторы керамические 100мкФ

Высоковольтный диод 1300В 1А

ПАВ резонатор на 433,92МГц

Конденсаторы на 100В

Ионисторы 1,2Ф 5,5В на ток 1A

Высоковольтные керамические конденсаторы от 200В до 2кВ

Полимерные конденсаторы 180мкФ 16В

Полимерные конденсаторы 33мкФ 8В и 47 мкф 6,3В на ток пульсаций до 2,5А

Все поступления