SI2319CDS T1 GE3 транзистор P MOSFET 40В, 5,6А

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов SI2319CDS T1 GE3

Наименование Код маркировки транзистора Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ SI2319CDS T1 GE3 P7 Vishay MOSFET транзистор в SOT-23, P-канал, 40 В, 5,6 А

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Характеристики P MOSFET транзистора SI2319CDS T1 GE3

• Структура........................................................................P
• Максимальное напряжение сток-исток...............................40В
• Максимальное напряжение затвор-исток...........................20В
• Максимальный ток сток-исток...........................................5,6А
• Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0,054 Ом
• Крутизна характеристики..................................................10
• Пороговое напряжение включения....................................-2,5В
• Заряд затвора..................................................................7nC
• Входная емкость...............................................................595pF
• Температура рабочая,......................................................-55°С...+150°С
• Корпус............................................................................SOT-23

Транзистор SI2319CDS T1 GE3 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора SI2319CDS T1 GE3

Datasheet на транзистор SI2319CDS T1 GE3 в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора SI2319CDS T1 GE3

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Ионисторы 1,2Ф 5,5В на ток 1A

Высоковольтные керамические конденсаторы от 200В до 2кВ

Полимерные конденсаторы 180мкФ 16В

Полимерные конденсаторы 33мкФ 8В и 47 мкф 6,3В на ток пульсаций до 2,5А

Приглашаем на выставку «ЭКСПО Электроника 2024»

Герметичные тактовые кнопки

Цифровые потенциометры AD в SOT23-8

Конденсаторы керамические 10 мкФ и больше

Все поступления