SI2319CDS T1 GE3 транзистор P MOSFET 40В, 5,6А

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов SI2319CDS T1 GE3

Наименование Код маркировки транзистора Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ SI2319CDS T1 GE3 P7 Vishay MOSFET транзистор в SOT-23, P-канал, 40 В, 5,6 А

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Характеристики P MOSFET транзистора SI2319CDS T1 GE3

• Структура........................................................................P
• Максимальное напряжение сток-исток...............................40В
• Максимальное напряжение затвор-исток...........................20В
• Максимальный ток сток-исток...........................................5,6А
• Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0,054 Ом
• Крутизна характеристики..................................................10
• Пороговое напряжение включения....................................-2,5В
• Заряд затвора..................................................................7nC
• Входная емкость...............................................................595pF
• Температура рабочая,......................................................-55°С...+150°С
• Корпус............................................................................SOT-23

Транзистор SI2319CDS T1 GE3 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора SI2319CDS T1 GE3

Datasheet на транзистор SI2319CDS T1 GE3 в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора SI2319CDS T1 GE3

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Конденсаторы керамические 100мкФ

Высоковольтный диод 1300В 1А

ПАВ резонатор на 433,92МГц

Конденсаторы на 100В

Ионисторы 1,2Ф 5,5В на ток 1A

Высоковольтные керамические конденсаторы от 200В до 2кВ

Полимерные конденсаторы 180мкФ 16В

Полимерные конденсаторы 33мкФ 8В и 47 мкф 6,3В на ток пульсаций до 2,5А

Все поступления